英伟达新一代处理器为何选择用碳化硅？

英伟达Rubin处理器转向碳化硅的背后考量

英伟达在2025年9月宣布的新一代Rubin处理器，将先进封装环节的中间基板材料从硅（Si）更换为碳化硅（SiC），这标志着半导体行业在材料选择上的一个重要转变。这一决策并非空穴来风，而是基于碳化硅（SiC）材料自身卓越的性能优势，以满足日益增长的高性能计算需求。

碳化硅（SiC）的突出优势 🌟

• 高导热性： 碳化硅拥有比硅更好的导热性能，这意味着它能更有效地将芯片产生的热量散发出去。在高性能计算领域，散热是限制芯片性能和稳定性的关键因素之一。更高的散热效率意味着处理器在高负载运行时能够保持更低的温度，从而延长使用寿命并允许更高的运行频率。
• 高击穿电场强度： 碳化硅的击穿电场强度远高于硅。在需要承受高电压的应用中，碳化硅器件可以设计得更小巧、更高效，并且更不容易发生击穿损坏。
• 高温稳定性： 碳化硅材料在高温下也能保持稳定的性能，这对于需要长时间高强度运行的处理器来说至关重要。

对半导体封装的影响 🛠️

将碳化硅应用于中间基板，意味着英伟达在CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）等先进封装技术上实现了新的突破。这不仅有助于提高处理器的整体性能和能效比，还能在相同体积下实现更强大的计算能力。台积电等代工厂也在积极协同开发相关制造技术，以应对这一趋势。

总而言之，英伟达此次对碳化硅的青睐，是其追求更高性能、更好能效以及应对未来计算挑战的战略举措。这有望推动整个半导体产业对先进材料的研发和应用，开启新一轮的技术革新。