北京大学团队如何利用冷冻电断层扫描技术突破光刻胶显影瓶颈？

这项突破确实是芯片制造领域的一个重要进展。光刻胶的显影过程，是决定电路图案精确度的关键一步，但长期以来，我们对光刻胶在显影液中的微观行为知之甚少，这就像一个“黑匣子”，使得工艺优化只能靠反复试错。

彭海琳教授团队引入的冷冻电子断层扫描技术，就是为了打开这个“黑匣子”。这项技术解决了传统观测方法无法同时实现“原位、三维、高分辨率”观测的三大难题。

技术突破的关键点

通过这项技术，研究人员首次在液相环境中，原位解析了光刻胶分子在显影液中的具体行为。具体来说，他们获得了以下关键信息：

• 分子三维结构： 获得了分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”，清晰展示了光刻胶的分子排布。
• 界面分布和缠结行为： 明确了分子是如何分布在液体界面的，以及它们之间的相互缠绕情况。

这些信息对于理解为什么会出现光刻缺陷至关重要。有了这些微观层面的数据，工业界就可以更有针对性地设计和优化光刻技术工艺，指导开发出能显著减少缺陷的产业化方案，从而有效提升7纳米及以下先进制程的良率。